Память 2Gb PC6400 Samsung original
Краткое описание
DDR2 / частота 800 МГц, CL 5T, тайминги 5-5-5, напряжение 1.8 В
Подробное описание
Тип памяти DDR2
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 800 МГц
Пропускная способность 6400 Мб/с
Объем 1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Дополнительно
Напряжение питания 1.8 В
Наличие
Нет в наличии
Гарантия
12 мес.
Производитель
"SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD", Samsung Main Building, 250, 2-ga Taepyung-ro Chung-gu, Seoul
Импортер
ЧТУП "Артека-Сеть", г.Минск, ул.Пинская, 18-8А
Сервис
ООО "Компьютербай Сервис", г.Минск, пр. Машерова 11, офис 104
Похожие товары
- Память 2GB PC3-12800 Hynix (MPPU2GBPC1600)
DDR3 / 1 модуль, частота 1600 МГц, напряжение 1.5 В
31.66 р. - Память SODIMM-DDR3 4GB PC3-12800 Netac NTBSD3N16SP-04
SODIMM-DDR3 / 1 модуль, частота 1600 МГц, тайминги 11-11-11-28, CL 11T, напряжение 1.35 В
41.88 р. - Память 4GB PC3-12800 Arktek AKD3S4P1600
DDR3 /4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 10T
35.30 р. - Память SODIMM-DDR3 4GB PC-12800 ARKTEK AKD3S4N1600
SODIMM-DDR3 /4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
39.49 р. 
5 днейПамять 2GB PC3-12800 AMD Radeon R532G1601U1S-UDDR3 / 1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
32.76 р. 
3 дняПамять 8GB PC3-12800 GOODRAM W-MEM1866R3S48GDDR3 / 8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
42.75 р.
