Память Kingston, Hynix original, Corsair, Patriot - интернет-магазин, продажа и доставка по Минску и Беларуси
Память 16GB PC4-25600 Samsung M378A2G43AB3-CWEDDR4 / 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
576.61 р. 
Память 16GB PC4-25600 Samsung M378A2K43EB1-CWEDDR4 / 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
576.61 р. 
Память 16GB PC4-25600 Samsung M391A2K43DB1-CWEDDR4 / 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
1 466.92 р. 
Память 32GB PC4-25600 Samsung M393A4K40DB3-CWE ECCDDR4 / 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21-32, напряжение 1.2 В
2 486.06 р. 
Память 32Gb PC5-51200 Samsung M321R4GA3EB2-CCPDDR5 /32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 6400 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
6 327.10 р. 
Память 64GB PC4-25600 Samsung (M386A8K40DM2-CWE) M386A8K40DM2-CWELYDDR4 / 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
4 030.00 р. 
Память 96Gb PC5-44800 Samsung M321RYGA0PB0-CWM ECCDDR5 / 96 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
7 000.11 р. 
Память SODIMM-DDR3 8GB PC3-12800 J-Tec M471B1G73QH0-YK0SODIMM-DDR3 / частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
105.17 р. 
Память SODIMM-DDR4 8GB PC4-25600 Samsung M471A1K43EB1-CWESODIMM-DDR4 / 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
229.71 р. 
5 днейПамять 128GB PC4-25600 Samsung M393AAG40M32-CAECO ECCDDR4 / 128 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
7 802.69 р. 
5 днейПамять 128Gb PC5-38400 Samsung M321RAGA0B20-CWK ECCDDR5 / 128 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В
18 703.39 р. 
5 днейПамять 16GB PC4-25600 Samsung M378A4G43AB2-CWEDDR4 / 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
1 576.73 р. 
5 днейПамять 16GB PC4-25600 Samsung M393A2K40EB3-CWEDDR4 / 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
973.94 р. 
5 днейПамять 16GB PC4-25600 Samsung M393A2K43EB3-CWECODDR4 / 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
1 404.79 р. 
2 дняПамять 2GB PC3-10600 Samsung M393B5773CH0-YH9DDR3 / 2 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.35 В
173.81 р. 
5 днейПамять 32GB PC4-25600 Samsung M391A4G43BB1-CWEDDR4 / 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-46, напряжение 1.2 В
2 304.06 р. 
5 днейПамять 32GB PC4-25600 Samsung M393A4K40EB3-CWEDDR4 / 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
2 498.28 р. 
6 днейПамять 32Gb PC5-38400 Samsung M321R4GA0BB0-CQK ECCDDR5 / 32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
6 181.05 р. 
5 днейПамять 32Gb PC5-38400 Samsung M323R4GA3BB0-CQKDDR5 / 32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
2 387.08 р.
