Память SODIMM-DDR3 8Gb PC12800 Samsung M471B1G73EB0-YK0D0
Краткое описание
SODIMM-DDR3 / частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
Подробное описание
Основные
Набор................................... Нет
Объем................................... 8 ГБ
Тип..................................... DDR3 SO-DIMM
ECC..................................... Нет
Частота................................. 1600 МГц
PC-индекс............................... PC3-12800
CAS Latency............................. 11T
Напряжение питания...................... 1.35
Технические характеристики
Профили XMP............................. Нет
Профили AMP............................. Нет
Конструкция
Охлаждение.............................. Нет
Низкопрофильный модуль.................. Нет
Наличие
Нет в наличии
Гарантия
12 мес.
Производитель
"SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD", Samsung Main Building, 250, 2-ga Taepyung-ro Chung-gu, Seoul
Импортер
ЧТУП "Артека-Сеть", г.Минск, ул.Пинская, 18-8А
Сервис
ООО "Компьютербай Сервис", г.Минск, пр. Машерова 11, офис 104
Похожие товары
- Память 16GB (2x8GB) PC4-25600 G.Skill F4-3200C16D-16GVKB
DDR4 / 2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
163.48 р. - Память 16GB (2x8GB) PC4-24000 G.Skill F4-3600C19D-16GVRB
DDR4 / 2 модуля, частота 3600 МГц, CL 19T, тайминги 19-20-20-40, напряжение 1.35 В
163.48 р. - Память 16GB (2x8GB) PC4-25600 G.Skill F4-3200C16D-16GTZR
DDR4 / 2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
233.50 р. 
Память 8GB PC4-21300 Crucial CT8G4RFD8266DDR4 / ECC 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
254.56 р. - Память 16GB (2x8GB) PC4-25600 G.Skill F4-3200C16D-16GTZKW
DDR4 / 2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
199.58 р. - Память 16GB (2x8GB) PC4-25600 G.Skill F4-3200C16D-16GTZSW
DDR4 / 2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
196.38 р.
