Память 2Gb PC12800 Hynix HMT325U6CFR8C-PB
Краткое описание
DDR3 / частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
Подробное описание
Основные
Набор Нет
Объем 2 ГБ
Тип DDR3 DIMM
ECC Нет
Частота 1600 МГц
PC-индекс PC3-12800
CAS Latency 11T
Тайминги 11-11-11
Напряжение питания 1.5 В
Технические характеристики
Количество банков 1
Производитель микросхем Hynix
Число микросхем 8
Ёмкость микросхем 2 Гбит
Тип микросхем 256Mx8
Профили EPP Нет
Профили XMP Нет
Конструкция
Термодатчик Нет
Охлаждение Нет
Низкопрофильный модуль Нет
Наличие
Нет в наличии
Гарантия
12 мес.
Производитель
"North Tec Asia Limited", Фю Цонь, г.Шанхай №3768, Китай
Импортер
СЗАО "АСБИС", г.Минск, ул.Машиностроителей, д.29, офис 210
Сервис
ООО "Медиа Маркет Групп", г. Минск, ул. Я.Коласа, д. 34б, оф. 4Н
Похожие товары
Память SODIMM-DDR3 4GB PC3-12800 Kingston KVR16LS11/4 (WP)SODIMM-DDR3 / ValueRAM, 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В (разгон 1.5 В)
82.40 р. 
Память 8GB PC4-21300 Kingston KVR26N19S8/8DDR4 / 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
66.92 р. 
Память SODIMM-DDR3 8GB PC3-12800 Samsung M471B1G73DB0-YK0SODIMM-DDR3 / 1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
94.32 р. - Память 8GB PC4-24000 G.Skill F4-3000C16S-8GISB
DDR4 / частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
71.10 р. 
Память 8GB PC4-21300 Patriot PSD48G266681DDR4 / частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
63.72 р.
